반응형 일단 제가 준비한 건,261 DRAM WCK, DQS, Clock의 관계 (LPDDR5, LPDDR4, DQ Strob, RDQS, bps, Hz) WCK WCK란 뭔가?LPDDR4랑 LPDDR5를 간단히 비교하면서 알아보자. LPDDR4에서는 CLK이랑 DQS (DQ Strob)랑 1:1 관계다. 근데 Data를 주고받는 Speed를 높이려면 자연스레 CLK의 Speed를 엄청 높일 수밖에 없다. 이렇게 되면 Low Power인데 전력을 많이 소모할 수밖에 없다. Data를 주고받지 않을 때도 계속 전력을 소모하기 때문에 이렇게 쓰면 안 된다. 그러니 LPDDR5에서는 CLK를 낮추고 Data를 채갈 때 사용하는 DQS만 높여준 건데 이게 WCK다. 즉, Data를 위한 전용 CLK를 만든 것이다. LPDDR4에서는 DQS라 부르고, LPDDR5에서는 WCK라고 부른다. 근데 CLK를 낮추면 Command Address Pin의 속도가 낮아질 텐데.. 2023. 11. 24. DRAM Die 갯수 (QDP, ODP, 12DP, 16DP, Die 당 구조, Density 늘리는 법) Die와 AP의 관계 DRAM을 보면 Package 안에 몇 개의 Die가 들어가 있는지에 따라서 Density가 달라진다. Die를 이용하여 메모리 크기를 만드는 조합은 여러 가지가 될 수 있다. DRAM은 CPU(AP)와 Channel이라는 통로로 연결(Mapping) 돼 있다. Qualcomm, MediaTek, Samsung과 같은 회사에서 Mobile AP를 만드는데 LPDDR과 AP마다 연결 된 Channel의 수는 다르지만 기본 4개의 Channel로 연결 돼 있다고 하자. 아래 그림은 Channel (A, B, C, D) 이렇게 4개의 Channel이 Die들에 연결 돼 있는 그림이다. Density를 늘리기 위해 여러 방법을 사용하는데 그중 하나가 Die의 수를 늘리는 것이다. (용어가.. 2023. 11. 17. DRAM DBI (Data Bus Inversion, DBI-AC, DBI-DC ,DBI_RD, DBI_WR, LPDDR, DDR, HBM) DBI (Data Bus Inversion) DDR4, LPDDR3에서부터 Data를 주고받을 때(Read / Write) 전력 소모를 줄이기 위해 적용된 Scheme이다. 결론부터 간단히 말하면, Low(0) 또는 High(1)의 수에 따라 전력을 덜 쓰게 반전(Inversion)시켜서 보내는 것이다. 즉, 목적은 전력을 덜 쓰게 만드는 게 포인트다. 약 20~30%의 전력소모를 줄일 수 있다고 한다. 하지만 Read/Write시에 Latency가 발생한다는 단점이 있다. 예를 들어 Low(0)을 보낼 때 전력을 더 많이 소모한다고 하고 High(1) 일 때는 전력을 안 쓴다고 해보자. 만약 Data 0000_0111을 보내야 된다면 0의 개수가 5개고 1이 3개이니 데이터를 반전시켜서 1111_100.. 2023. 10. 27. DRAM CBT (Command Bus Training, CBT Sequence, Vref, CA timing, CDC) CBT (Command Bus Training) 한 줄로 말하면 DRAM의 Command Pin에 들어오는 입력을 최적의 조건에서 채 가기 위해 Training을 한다. 이게 CBT이다. Training은 Vref(CS)과 CA Timing (Setup / Hold Time)에 의해 이루어진다. **Vref는 세로선으로 데이터를 언제부터 0,1을 나눌지 정하는 값이다. 예를 들어, 0V~5V까지면, 제일 좋은 건 Vref을 2.5V로 정하고 이하는 0 , 초과는 1로 정하게 한다.**CA Timing(CDC)은 가로선인데 Setup Time과 Hold Time으로 구분할 수 있다. Setup Time은 Data의 Differntial Signal이 만난 시점부터 DQS(=WCK / = CLK)가 Vr.. 2023. 10. 21. DRAM ZQ Calibration, ODT (NT-ODT, DDR, ZQ Cal, On Die Termination) ODT (On Die Termination) ZQ Calibration을 이해하기 전에 ODT(On Die Termination)에 대해 이해가 필요하다. 간단하게 아래 그림에서 파란색 점에 걸리는 전압의 Swing을 보자. VDDQ 전압이 그대로 다 걸릴 것이다. CPU가 DRAM한테 Read Command를 던져지면 DRAM은 전압을 통해 신호를 전달할 것이다. VDDQ만큼 전압을 준다고 가정해 보자. 근데 우린 "반사파(Reflection)"라는 개념을 인지해야 한다. 전압을 저렇게 던지면 신호가 잘 가다가 어디에 부딪쳐서 반사파를 발생하고 SI(Signal Integrity)가 틀어진다. 즉 신호가 깨끗하지 못하다. Noise가 낀다는 말이다. 그래서 나온 게 ODT다. 즉 저항을 달아주.. 2023. 9. 28. 이전 1 2 3 4 ··· 53 다음
