DRAM Bank Architecture (Bank Mode, 뱅크 구조, Bank 동작, Bank Group, 8Bank, 16Bank, BL/n, tCCD, LPDDR5)
# Bank란? 은행은 아니겠죠, Memory 반도체인 DDR안에는 Die라고 하는 것들이 모여 있고 또 하나의 Die는 Bank라는 구조로 나눠져 있다. 이 Bank 안에 다들 알고 있는 1T1C 구조로 Cell이 모여 있다. 반대로 말하면 1T1C가 모여서 Bank를 이루고 Bank가 모여서 DIE를 이루고 DIE가 모여서 하나의 단품 PKG가 된다.메모리 반도체의 구조를 잘 모른다면 아래 글에 있는 그림이라도 보고 오면 더 이해가 쉬울 것이다. 2023.04.13 - [메모리 반도체/DRAM] - 메모리 반도체 DRAM 구조 (LPDDR, Die, BANK, Core, HEX, MAT) 메모리 반도체 DRAM 구조 (LPDDR, Die, BANK, Core, HEX, MAT)DRAM 구조 메모리의..
2025. 5. 17.
DRAM Die 갯수 (QDP, ODP, 12DP, 16DP, Die 당 구조, Density 늘리는 법)
Die와 AP의 관계 DRAM을 보면 Package 안에 몇 개의 Die가 들어가 있는지에 따라서 Density가 달라진다. Die를 이용하여 메모리 크기를 만드는 조합은 여러 가지가 될 수 있다. DRAM은 CPU(AP)와 Channel이라는 통로로 연결(Mapping) 돼 있다. Qualcomm, MediaTek, Samsung과 같은 회사에서 Mobile AP를 만드는데 LPDDR과 AP마다 연결 된 Channel의 수는 다르지만 기본 4개의 Channel로 연결 돼 있다고 하자. 아래 그림은 Channel (A, B, C, D) 이렇게 4개의 Channel이 Die들에 연결 돼 있는 그림이다. Density를 늘리기 위해 여러 방법을 사용하는데 그중 하나가 Die의 수를 늘리는 것이다. (용어가..
2023. 11. 17.
DRAM DBI (Data Bus Inversion, DBI-AC, DBI-DC ,DBI_RD, DBI_WR, LPDDR, DDR, HBM)
DBI (Data Bus Inversion) DDR4, LPDDR3에서부터 Data를 주고받을 때(Read / Write) 전력 소모를 줄이기 위해 적용된 Scheme이다. 결론부터 간단히 말하면, Low(0) 또는 High(1)의 수에 따라 전력을 덜 쓰게 반전(Inversion)시켜서 보내는 것이다. 즉, 목적은 전력을 덜 쓰게 만드는 게 포인트다. 약 20~30%의 전력소모를 줄일 수 있다고 한다. 하지만 Read/Write시에 Latency가 발생한다는 단점이 있다. 예를 들어 Low(0)을 보낼 때 전력을 더 많이 소모한다고 하고 High(1) 일 때는 전력을 안 쓴다고 해보자. 만약 Data 0000_0111을 보내야 된다면 0의 개수가 5개고 1이 3개이니 데이터를 반전시켜서 1111_100..
2023. 10. 27.
