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일단 제가 준비한 건,261

DRAM Write 동작 DRAM Write DRAM의 Write 동작에 대해 알아보자. 앞선 포스팅에서는 Read / Write을 하기 위한 준비 동작을 작성했다. Refresh, Precharge, Acitve, Read 등등.. 혹시 잘 모르겠다면 아래 링크를 참조하면 도움이 조금은 될 것이다. 2023.04.19 - [내가 하는 공부/DRAM] - DRAM Refresh 동작 ( Self Refresh, 순서, 방식, Charge Sharing ) 2023.04.24 - [내가 하는 공부/DRAM] - DRAM Charge Sharing (전하 공유, BLSA, Bit Line Bar) 2023.05.03 - [내가 하는 공부/DRAM] - DRAM PreCharge ( 동작 순서, 이유 ) 2023.05.12 - [내가.. 2023. 8. 14.
DRAM Read 동작 ( Read Path, x8, x16, Burst Length, LSA , IOSA, GIO, LIO, SIO) DRAM Read DRAM은 메인 메모리로, Cell에 정보를 가지고 있다가 Command에 따라 Cell 정보를 Read / Write 하는 동작을 반복하는 소자다. 이번 포스팅에는 Read 동작에 대해 알아보자. 앞선 포스팅에서는 Read / Write을 하기 위한 준비 동작을 작성했다. Refresh, Precharge, Acitve와 같은 동작을 말이다. 개념이 헷갈리다면, 아래 링크를 참고하기 바란다. 2023.05.12 - [내가 하는 공부/DRAM] - DRAM Active 동작 (Restore, Precharge, Refresh) 2023.05.03 - [내가 하는 공부/DRAM] - DRAM PreCharge ( 동작 순서, 이유 ) 2023.04.19 - [내가 하는 공부/DRAM] -.. 2023. 6. 10.
DRAM Active 동작 (Restore, Precharge, Refresh) DRAM Active Active동작은 Read / Write 하기 전에 해야 하는 필수 동작이다. 즉, Read / Write 하기 전에 준비하는 것이다. 이걸 왜 하냐면, Read / Write 하기 전에 데이터를 명확하게 하기 위해서다. 그래야 Read / Write 할 때 틀리지 않고 확실한 데이터를 얻을 수 있기 때문이다. 이전에 Precharge가 Word Line을 닫는 동작이라고 했다. 그러니 닫았으면 이제 다른 Word Line을 열어야 하는데 이 동작을 Active라고 부른다. Active는 Refresh에서 하는 동작과 유사하다. 왜냐면 Refresh는 Active + Precharge의 동작이기 때문이다. Precharge 동작과 유사하다. Refresh와 Precharge가 뭔지 .. 2023. 5. 12.
DRAM PreCharge ( 동작 순서, 이유 ) DRAM Pre-charging DRAM에서 Row를 선택하고, Read/Write 후에 해당 Word Line을 닫는 동작인 Pre-Charge에 대해 알아보자. 별거 없다. DRAM에서 어떤 동작을 하기 위해 또는 하기 전에 해야 하는 과정이다. 여기서 어떤 동작이라 함은 Active / Read / Write / Refresh와 같은 동작을 말한다. 더 간단히 말하면, 이 동작들을 하기 위한 Setting 동작을 Pre-Charge라고 부른다. 조금 더 설명하면, 다른 Word Line을 Active 하기 전에 볼 일 다 본 Word Line을 닫아줘야 한다. 즉, Word Line을 0V로 만든 다음 해당 Word Line에 걸린 Column의 전압을 Half VDD로 만들기 위한 과정이다. 왜 .. 2023. 5. 3.
DRAM Charge Sharing (전하 공유, BLSA, Bit Line Bar) DRAM Charge Sharing 별거 없다. 번역 그대로 전하를 공유하는 것이다. 누구랑 공유하냐, Cell Capacitor와 Bit Line Capacitor를 전자가 공유한다. 근데 두 Capacitor에는 용량의 차이가 있다. Cell에 있는 Capacitor의 용량과 Bit Line Capacitor를 1 : 1로 매핑하면 250 : 1 정도로 차이가 있다. 하지만 보통 Bit Line 하나에 걸린 Cell Cap이 1024개 정도 되니, Cell Capacitor와 Bit Line Capacitor의 용량은 4 : 1 정도의 비율이 된다. 이런 상황에서, Cell Capacitor이 꽉 차 있는 상태에서 상대적으로 조금만 차 있는 Bit Line과 연결된다면 Charging Sharing이.. 2023. 4. 24.

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